三星在11月27日宣布內(nèi)存芯片和代工芯片部門的新負(fù)責(zé)人，這一舉措在公司股價下跌超 3% 的背景下顯得尤為引人注目。此次人事變動涉及三星半導(dǎo)體及設(shè)備解決方案(DS)部門核心崗位的重新布局，副董事長 Jun Young-hyun 被委以聯(lián)合首席執(zhí)行官重任并統(tǒng)管 DS 和存儲芯片業(yè)務(wù)，美國半導(dǎo)體業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁 Han Jin-man 晉升總裁執(zhí)掌代工業(yè)務(wù)部，Seok-woo Nam 出任代工業(yè)務(wù)首席技術(shù)官。

　　此次任命正值三星芯片部門業(yè)績大幅下滑之際。上個月，三星為該部門季度利潤暴跌 40% 而致歉，原因與 “主要客戶” 的 AI 芯片業(yè)務(wù)延遲密切相關(guān)。過去一年，三星積極投身 AI 芯片業(yè)務(wù)，試圖在內(nèi)存芯片領(lǐng)域追趕 SK 海力士，在代工芯片領(lǐng)域追趕臺積電，然而 AI 內(nèi)存芯片量產(chǎn)交付的延遲，致使其自今年 8 月起股價累計(jì)跌幅近 30%，公司迫切需要扭轉(zhuǎn)當(dāng)前危局。

　　在 AI 高帶寬內(nèi)存芯片(HBM)領(lǐng)域，三星面臨著激烈的競爭。其主要競爭對手為 SK 海力士和美光，而英偉達(dá)和 AMD 作為 AI 芯片巨頭則是 HBM 芯片的主要客戶。英偉達(dá)創(chuàng)始人黃仁勛雖早在今年 3 月就提及正在測試三星的 HBM 芯片且有望未來使用，8 個月后仍表示在加速驗(yàn)證三星的 8 層及 12 層高帶寬芯片，但截至今年 3 月，SK 海力士仍是英偉達(dá) AI 芯片唯一公開的新一代 HBM 供應(yīng)商，且在英偉達(dá)最新 AI 芯片中已應(yīng)用大量 SK 海力士的 HBM3e 顯存，同時本月財(cái)報(bào)電話會議上黃仁勛將美光列入合作伙伴卻未提及三星。

　　HBM 作為一種特殊的 DRAM 標(biāo)準(zhǔn)存儲芯片，自 2013 年推出后，憑借芯片垂直堆疊技術(shù)在處理人工智能復(fù)雜數(shù)據(jù)方面獨(dú)具優(yōu)勢。但其制造難度極高，如 Gartner 分析師盛陵海所言，垂直堆疊并與主芯片封裝的過程復(fù)雜，良率低，生產(chǎn)周期相比 DDR5 內(nèi)存芯片要慢 1.5 至 2 個月。

　　由于 HBM 芯片在大模型訓(xùn)練中起著關(guān)鍵作用，在人工智能熱潮推動下，其成為芯片廠商競相爭奪的重要資源。SK 海力士和美光已提前預(yù)警 2024 年 HBM 芯片售罄，庫存緊張狀況將延續(xù)至 2025 年且 2025 年訂單也已爆滿。市場情報(bào)顯示，英偉達(dá)等芯片巨頭幾乎壟斷了 HBM 的產(chǎn)能，因其將 HBM 用于 GPU 以滿足 AI 訓(xùn)練和推理所需的高帶寬。

　　盡管當(dāng)前局勢嚴(yán)峻，市場仍對三星在 HBM 芯片領(lǐng)域寄予期望。大和證券分析師 SK Kim 認(rèn)為三星在 12 層 HBM3e 樣片工藝上相對領(lǐng)先，若能盡早量產(chǎn)交付，有望在 2024 年底和 2025 年獲取更多市場份額。三星此次人事調(diào)整或許正是為了應(yīng)對這些挑戰(zhàn)，集中優(yōu)勢資源，突破技術(shù)瓶頸，加速 AI 芯片業(yè)務(wù)發(fā)展，以重新在全球芯片市場競爭中站穩(wěn)腳跟，恢復(fù)往日的市場地位與競爭力，不過其能否成功實(shí)現(xiàn)逆轉(zhuǎn)，還有待時間的檢驗(yàn)和市場的進(jìn)一步觀察。